万柔科技 ONEROLE TECH
金属薄膜沉积
—————
技术指标
材料种类：用于Ti、Cu、Cr、Au、Ni、Mo、Zn、Mg等金属薄膜制备
速率：0.1Å/s-10Å/s
厚度：1nm-1um
用途
1. 电镀金属种子层；
2. 带胶剥离法制备金属化图形电极；
3. IBE干法刻蚀制备金属化电极；
4. 干法刻蚀金属硬质掩膜。
绝缘薄膜沉积
—————
技术指标
材料种类：用于SiO₂、Al₂O₃、Parylene-C等绝缘薄膜制备
速率：0.1Å/s-10Å/s
厚度：1nm-5um
用途
1. PDMS键合；
2. 薄膜晶体管介电层。
半导体薄膜沉积
——————
技术指标
材料种类：用于IGZO、ZnO、ITO、IZO、AZO、Ga₂O₃等半导体薄膜制备
速率：0.1Å/s-1Å/s
厚度：1nm-100nm
用途
1. 透明导电电极；
2. 薄膜晶体管沟道材料；
3. 光电探测器。
紫外曝光
———
技术指标
紫外光波长：350nm～450nm
光强均匀性：2% （6英寸的衬底）分辨率: 0.8μm
正面套准精度：0.5μm
基片尺寸：支持4英寸以下以及破片
用途
将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。光刻机发出的光通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光，利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。
反应离子刻蚀RIE
———————
技术指标
尺寸：6英寸及以下
配备工艺气体：O₂、Ar
用途
1、聚合物刻蚀；
2、样品表面改性；
3、样品表面清洁。
光脉冲烧结
————
技术指标
电压范围：1000-3000V
脉冲时间：100-5000us
烧结面积：5.1*20.3cm
用途
采用宽光谱、高能量的脉冲光对纳米材料墨水进行固化烧结。
|
|
