万柔科技 ONEROLE

金属薄膜沉积
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双靶材磁控溅射系统
电子束蒸发、热蒸发复合镀膜系统

技术指标

材料种类:用于Ti、Cu、Cr、Au、Ni、Mo、Zn、Mg等金属薄膜制备

速率:0.1Å/s-10Å/s

厚度:1nm-1um

用途

1.  电镀金属种子层;

2.  带胶剥离法制备金属化图形电极;

3.  IBE干法刻蚀制备金属化电极;

4.  干法刻蚀金属硬质掩膜。

绝缘薄膜沉积
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技术指标

材料种类:用于SiO₂、Al₂O₃、Parylene-C等绝缘薄膜制备

速率:0.1Å/s-10Å/s

厚度:1nm-5um

用途

1.  PDMS键合;

2.  薄膜晶体管介电层。

半导体薄膜沉积
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技术指标

料种类:用于IGZOZnO、ITO、IZO、AZO、Ga₂O₃等半导体薄膜制备

速率:0.1Å/s-1Å/s

厚度:1nm-100nm

用途

1.  透明导电电极;

2.  薄膜晶体管沟道材料;

3.  光电探测器。

紫外曝光
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技术指标

紫外光波长:350nm~450nm

光强均匀性:2% (6英寸的衬底)
分辨率: 0.8μm
正面套准精度:0.5μm
基片尺寸:支持4英寸以下以及破片

用途

将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。光刻机发出的光通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光,利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。

反应离子刻蚀RIE
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技术指标
尺寸:6英寸及以下
配备工艺气体:O₂、Ar
用途
1、聚合物刻蚀;
2、样品表面改性;
3、样品表面清洁。
光脉冲烧结
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技术指标
电压范围:1000-3000V
脉冲时间:100-5000us
烧结面积:5.1*20.3cm
用途
采用宽光谱、高能量的脉冲光对纳米材料墨水进行固化烧结。




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